NT5CC256M16ER-EKI vs H5TC4G63AFR-PBI 比較

詳細な並列比較: NT5CC256M16ER-EKI メーカー: Nanya Technology および H5TC4G63AFR-PBI メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EKI NT5CC256M16ER-EKI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKI ✓ 生産中
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete

仕様比較

パラメータ NT5CC256M16ER-EKI H5TC4G63AFR-PBI
ブランド Nanya Technology SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 Obsolete
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $16.70 $6.50
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
電源電圧 1.35 V (1.5 V compatible) 1.35 V
データレート 933 MHz (DDR3L-1866) DDR3-1600 (PC3L-12800)
パッケージ 96-ball TFBGA 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32)
動作温度 -40°C to +95°C —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
RoHS Compliant —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Total Memory Size — 4 Gb
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 (BL8)
CASレイテンシ — Programmable
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Period — 7.8 us at 85°C
動作温度範囲 — -40°C to +95°C
Number of Terminals — 96
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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