1ED3142MC12HXUMA1 vs 2EP101RXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED3142MC12HXUMA1 מאת Infineon ו 2EP101RXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED3142MC12HXUMA1 2EP101RXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number 1ED3142MC12HXUMA1 —
Product Family EiceDRIVER X3 Compact —
Driver Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Number of Channels 1 —
מספר יציאות 2 (separate source/sink) 1 (full-bridge differential primary)
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Source Drive Current 6 A —
Sink Drive Current 6.5 A —
Maximum Rise Time 20 ns —
Maximum Fall Time 20 ns —
Propagation Delay (typ.) 40 ns —
Supported Switches IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
מארז PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) PG-TSSOP-8
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
EU RoHS Compliant —
Part Status Active —
ECCN EAR99 —
Product Type — Full-Bridge Transformer Driver PMIC
טופולוגיה — Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Supply Voltage Range — 5 V to 20 V
Maximum Output Power — 5 W
Switching Frequency Option 1 — 50 kHz
Switching Frequency Option 2 — 65 kHz
Duty Cycle Option 1 — 12%
Duty Cycle Option 2 — 17%
טווח טמפרטורת פעולה — -40 °C to +125 °C
Primary Application — Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply
RoHS Compliance — Compliant
Delivery Form — Tape and Reel (XT suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר