1ED3142MU12FXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED3142MU12FXUMA1 מאת Infineon ו 2ED21064S06JXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED3142MU12FXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Galvanically Isolated Gate Driver IC —
Number of Channels 1 —
Peak Source/Sink Output Current 6.5 A (typical) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) —
Isolation Voltage (DigiKey rating) 3000 Vrms —
Isolation Voltage (Manufacturer datasheet) 2300 V —
Output Supply Voltage (VCC2-VEE2) [DATA_NEEDED: max value, typical datasheet 25 V max] —
Input Supply Voltage (VCC1) [DATA_NEEDED: value] —
Propagation Delay (typical) 42 ns 100 ns
Target Power Switches SiC MOSFETs, IGBTs, MOSFETs —
מארז PG-DSO-8-72 (wide-body DSO-8) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: junction/ambient range] —
Protection Features UVLO (output-side), DESAT short-circuit detection —
Output Stage Separate source/sink pins, totem-pole —
סטטוס RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Family Infineon EiceDRIVER 1ED31xx —
פונקציה — High-Side and Low-Side Gate Driver
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
טופולוגיה — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר