1EDI20N12AFXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDI20N12AFXUMA1 מאת Infineon ו 2ED21834S06JXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDI20N12AFXUMA1 2ED21834S06JXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Single high-side, isolated —
Isolation Type Galvanic (coreless transformer), reinforced —
Number of Channels 1 —
Maximum Supply Voltage (Output Side) 17 V —
Minimum Supply Voltage (Output Side) 3.1 V —
Peak Source Current 4.0 A (typical) —
Peak Sink Current 3.5 A (typical) —
Working Voltage (Isolation) 1200 V (high-side rail reference) —
Propagation Delay 120 ns (typical) —
תצורת מוצא Separate source and sink pins —
Short-Circuit Clamping Yes (built-in) —
מארז PG-DSO-8-51 (DSO-8, 8-pin, narrow body) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C -40 °C to +125 °C
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
מספר פינים — 14
סטטוס RoHS — Compliant
Standard Reel Quantity — 3000

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר