2ED21844S06JXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED21844S06JXUMA1 מאת Infineon ו 1ED3124MC12HXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED21844S06JXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 1
Input Type Non-Inverting —
Blocking Voltage (Voffset) 650 V —
Output Current (Source/Sink) 2.5 A typical —
Bootstrap Diode Integrated —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range] —
Propagation Delay (Typ.) 200 ns [DATA_NEEDED: matching value] —
Input Logic Compatibility TTL/CMOS 3.3 V and 5 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both HS and LS rails —
Shutdown Pin Yes —
Negative VS Transient Immunity -100 V typical —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8 (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
מספר יציאות — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
זמן עלייה — 15 ns
זמן ירידה — 30 ns
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר