2EDL8124GXUMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL8124GXUMA1 מאת Infineon ו 1EDN7126GXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL8124GXUMA1 1EDN7126GXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Input Type Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis Truly Differential Input (TDI)
Number of Drivers 2 —
Peak Source Current 3 A 1.5 A
Peak Sink Current 4 A 1.5 A
Bootstrap Supply (VBS) Maximum 120 V —
VCC Supply Range [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range] —
Isolation Type Junction isolation (JI) —
Bootstrap Diode Integrated —
Propagation Delay (typical) < 50 ns —
Delay Matching Between Channels [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns] —
UVLO Present on VCC and VBS —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range in C] -40C to +125C
מארז PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad PG-VSON-10-4
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
פונקציה — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Reach — Compliant
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר