BFU520W vs BFU520R השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BFU520W מאת NXP Semiconductors ו BFU520R מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BFU520W | BFU520R |
|---|---|---|
| מותג | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| קטגוריה | Transistors | Transistors |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | NPN | — |
| Technology | Silicon wideband RF BJT | — |
| Application Frequency Range | Up to 2 GHz | — |
| מארז | SOT323 (3-pin plastic) | SOT-143B (4-pin, dual-emitter, plastic) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 | Qualified | — |
| Product Family | NXP BFU5 family | — |
| Primary Use Case | High speed, low noise small-signal to medium power RF applications | — |
| מתח אספן-פולט (Vceo) | [DATA_NEEDED: VCEO] | 12 V |
| מתח קולט-בסיס (Vcbo) | [DATA_NEEDED: VCBO] | — |
| Continuous Collector Current (IC) | [DATA_NEEDED: IC] | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | [DATA_NEEDED: Ptot] | — |
| תדר מעבר (ft) | [DATA_NEEDED: fT] | 10.5 GHz |
| Noise Figure (NF) | [DATA_NEEDED: NF] | — |
| DC Current Gain (hFE) | [DATA_NEEDED: hFE] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: TJ range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| סוג טרנזיסטור | — | NPN wideband silicon RF BJT |
| Collector Current (IC max) | — | 30 mA |
| Total Power Dissipation | — | 450 mW |
| Frequency Range | — | up to 2 GHz application range |
| Noise Performance | — | Low noise, high breakdown |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Family | — | BFU5 (BFU5x wideband silicon RF transistors) |
| Configuration | — | Single NPN, dual-emitter |
| Application Class | — | Small signal to medium power |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Noise Figure | — | [DATA_NEEDED: noise figure in dB] |
| Gain | — | [DATA_NEEDED: gain] |