BSC014N04LSATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC014N04LSATMA1 מאת Infineon ו BSC035N04LSGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC014N04LSATMA1 | BSC035N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 3 |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (unlimited) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 21 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 3.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V (typ) |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | — | 69 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55°C to +150°C |
| Lead-Free | — | Yes |