BSC035N04LSGATMA1 vs BSC0911NDATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC035N04LSGATMA1 מאת Infineon ו BSC0911NDATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC035N04LSGATMA1 | BSC0911NDATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | 69 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55°C to +150°C | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Configuration | — | Dual N-Channel (2 N-CH) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W |
| טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C (junction) |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Technology | — | OptiMOS trench MOSFET |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |