BSS138NH6327XTSA2 vs 2N7002H6327XTSA2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS138NH6327XTSA2 מאת Infineon ו 2N7002H6327XTSA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSS138NH6327XTSA2 | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | N-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 60 V | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 3.5 ohm | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 230 mA | — |
| Power Dissipation (Ta) | 360 mW | — |
| Gate Threshold V_GS(th) | [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] | — |
| מארז | PG-SOT-23 (3-pin) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | -55C to +150C (Tj) |
| Gate-Source Voltage V_GS max | ±20 V | — |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes (per IEC 61249-2-21) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| Marking Code | [DATA_NEEDED: top-side marking code] | — |
| Packaging | Tape and Reel | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS (Planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 300 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3 ohm max @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| רמת MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial / Commercial Grade |