BSZ0901NSIATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSZ0901NSIATMA1 מאת Infineon ו BSC0921NDIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSZ0901NSIATMA1 BSC0921NDIATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0901NSIATMA1 —
Series OptiMOS 25V —
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET OptiMOS 25V (N-channel)
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
מארז PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C (typical MOSFET range) —
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Pulsed Drain Current (IDM) — 31 A (per channel, package-limited)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (junction)
רמת MSL — 1 (per Infineon OptiMOS family)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר