BTH60702EPVXUMA1 vs BTS51202EKAXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BTH60702EPVXUMA1 מאת Infineon ו BTS51202EKAXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BTH60702EPVXUMA1 BTS51202EKAXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family PROFET + 48V —
פונקציה Smart high-side power switch (dual channel, 2 x 1:1) —
On-State Resistance (typ.) 60 mΩ per channel —
Continuous Load Current (per channel) 1.7 A —
Number of Channels 2 2
Configuration 2 x 1:1 (dual independent high-side) —
סוג טרנזיסטור N-channel vertical power MOSFET with charge pump —
Nominal Operating Voltage 48 V board net —
Maximum Supply Voltage 54 V —
Load Voltage Range [DATA_NEEDED: load voltage range] —
Current Sense / Diagnosis Yes (analog current-sense output) —
Protection Features Over-load, short-circuit, over-voltage, reverse battery, thermal shutdown —
מארז PG-TSDSO-14 with exposed pad PG-DSO-14-40-EP (14-pin SOIC with exposed pad)
Operating Temperature (junction) -40 °C to +150 °C (automotive grade) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
טופולוגיה — Dual High-Side Switch (2 channels)
Technology — Smart6 (N-channel vertical MOSFET with charge pump)
On-State Resistance (RDS(on)) — 120 mΩ (typical per channel)
Continuous Output Current — 2 A per channel (typical 2.5 A)
Operating Voltage (Vbb) — 8 V to 18 V
Load Type — Lamps up to 1×10 W, LEDs, resistive/inductive loads
טמפרטורת פעולה — -40 °C to +150 °C
Maximum Power Dissipation — 1800 mW
Integrated Protection — Over-current, Short-circuit, Over-temperature, Over-voltage, Under-voltage lockout, Reverse battery
Diagnostic Output — Yes (status feedback pin)
Charge Pump — Integrated
Automotive Qualified — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר