BTS3256DAUMA1 vs BTH60801EPLXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BTS3256DAUMA1 מאת Infineon ו BTH60801EPLXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BTS3256DAUMA1 BTH60801EPLXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Smart Low-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
Technology HITFET (N-channel vertical DMOS) —
Number of Channels 1 1
תצורת מוצא Low-Side, 1:1 —
Continuous Drain Current 7.5 A —
Operating Voltage Range 4.5 V to 28 V (load supply Vbb) 4 V to 54 V
On-State Resistance (RDS(on)) 50 mOhm typical 80 mΩ (typical)
Overvoltage Clamp Integrated —
כיבוי תרמי Yes (with auto-restart) —
Current Limitation Yes (integrated) Adjustable
Status Feedback Yes (open-drain status pin) —
ESD Protection Yes (per datasheet) —
Operating Temperature (Junction) -40 C to +150 C —
מארז PG-TO252-5-11 (DPAK-5) PG-TSDSO-14 (exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q100) —
RoHS Compliance Compliant —
טופולוגיה — High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump
Continuous Load Current — 2.5 A
Nominal Board Net — 48 V (PROFET+ 48V family)
Diagnostic Output — Current Sense (IS) pin
Input Logic — Active High and Active Low
Protection Features — Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit
טווח טמפרטורת פעולה — -40 °C to +150 °C (Tj)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר