EP3SE50F780C4N vs EP3SE50F780C4G השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3SE50F780C4N מאת Intel ו EP3SE50F780C4G מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר EP3SE50F780C4N EP3SE50F780C4G
מותג Intel Intel
קטגוריה FPGA & CPLD FPGA & CPLD
סטטוס מחזור חיים NRND פעיל
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements (LE) 47,500 —
Embedded Memory Bits 5,760,000 —
Embedded Memory (M9K/M144K blocks) 488 (per family datasheet) —
Number of LABs 1900 —
Maximum User I/Os 488 —
DSP Blocks (18x18 multipliers) 432 —
PLLs 12 (per family datasheet) —
Maximum Operating Frequency 717 MHz —
Transceiver Channels Up to 12 (per family, model-dependent) —
Transceiver Data Rate Up to 6.375 Gbps (per Stratix III E family) —
Process Node 40 nm —
מארז 780-Ball FBGA, 29 mm x 29 mm, 1.0 mm pitch 780-ball FBGA (FCBGA)
סוג הרכבה Surface Mount (BGA) Surface Mount (SMD/SMT)
מתח אספקה Core 0.9 V, I/O 1.2 V-3.3 V (multi-rail) —
טמפרטורת פעולה 0C to +85C (C4 commercial grade) —
Configuration Modes JTAG, Passive Serial, Fast Passive Parallel —
סטטוס RoHS Lead-free / RoHS compliant Compliant
רמת MSL 3 (per JEDEC J-STD-020, FBGA package) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Hard Memory Controller DDR2/DDR3 SDRAM (per Stratix III E family) —
Series — Stratix III
Logic Elements — 47,500 LE
Adaptive Logic Modules (ALMs) — 19,000 ALM
Embedded Memory — 5.76 Mbit (5760000 bit)
Number of I/Os — 488
Number of Logic Array Blocks (LABs) — [DATA_NEEDED: LAB count from datasheet]
Number of Multipliers (18x18) — [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count]
Process Technology — 40 nm TSMC
Core Supply Voltage — 1.1 V
טווח טמפרטורת פעולה — 0 C to +85 C (commercial)
Lead-Free — Yes
Configuration Memory — SRAM-based (volatile, requires configuration device)
Design Software — Quartus II

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר