EP4CE55F23I7N vs EP4CE75F23I7N השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של EP4CE55F23I7N מאת Intel ו EP4CE75F23I7N מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר EP4CE55F23I7N EP4CE75F23I7N
מותג Intel Intel
קטגוריה FPGA & CPLD FPGA & CPLD
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Series Cyclone IV E —
Logic Elements 55,856 —
Configurable Logic Blocks (CLBs) 3,491 —
Embedded Memory 2,396,160 bits —
Embedded 18x18 Multipliers 56 15
PLLs 4 4
Maximum User I/O 324 —
מארז 484-ball FBGA (23x23 mm, 1.0 mm pitch) 484-ball FBGA (F23, 23 mm body, 1.0 mm pitch)
Process Technology TSMC 60 nm low-power 60 nm low-power CMOS
Core Voltage 1.2 V —
טמפרטורת פעולה -40C to +100C (industrial, I7 grade) —
סוג הרכבה Surface Mount (BGA) —
Lead-Free / RoHS Yes (lead-free finish) —
Configuration Modes JTAG, AS, PS, FPP Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG
Memory Interface Support DDR, DDR2, QDRII —
Product Line — Cyclone IV E
Family — Cyclone IV E (EP4CE)
Logic Elements (LEs) — 75,408
Logic Array Blocks (LABs) — 4,713
Embedded Memory Bits — 2,810,880 bits (312 M9K blocks)
Distributed RAM Bits — 200 Kbits
Global Clocks — [DATA_NEEDED: global clock network count]
Maximum User I/Os — 292
Core Voltage (VCCINT) — 1.2 V nominal
I/O Voltage (VCCIO) — 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (per bank)
Operating Temperature Grade — Industrial (I7: -40C to +100C Tj)
External Memory Interfaces — DDR / DDR2 SDRAM, QDRII SRAM
Design Software — Quartus II / Quartus Prime
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר