FDD8424H vs DMC2400UV-7 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של FDD8424H מאת onsemi ו DMC2400UV-7 מאת Diodes Incorporated. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Diodes Incorporated
DMC2400UV-7 DMC2400UV-7 - 20V Complementary N/P MOSFET Array | Diodes Inc

DMC2400UV-7 - 20V Complementary N/P MOSFET Array | Diodes Inc

DMC2400UV-7 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר FDD8424H DMC2400UV-7
מותג onsemi Diodes Incorporated
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) —
Product Type Dual N-Channel and P-Channel MOSFET —
Process Technology PowerTrench (advanced trench-gate) —
Configuration N-Channel and P-Channel, independent dice Complementary Pair (N + P)
Package Type TO-252 (DPAK), surface mount —
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 40 V —
N-Channel Continuous Drain Current 20 A —
N-Channel RDS(on) max at VGS=10V 24 mΩ —
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) -40 V —
P-Channel Continuous Drain Current -20 A —
P-Channel RDS(on) max at VGS=-10V 54 mΩ —
Gate Charge N-Ch (Qg) typ at VGS=10V 20 nC —
Input Capacitance Ciss max 1000 pF —
Total Power Dissipation (Pd) 1.3 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
נטול הלוגנים Compliant per GlobalSpec listing —
ECCN EAR99 —
FET Type — N and P-Channel Complementary Pair
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (N-Ch) @ 25C — 1.03 A
Continuous Drain Current (P-Ch) @ 25C — 700 mA
RDS(on) Max @ VGS=4.5V, Id=200mA — 480 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — <1 V (low threshold)
Total Package Power Dissipation — 450 mW
קיבול כניסה — Low (per datasheet)
Switching Speed — Fast
Input/Output Leakage — Low
מארז — SOT-563

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר