H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-VKI השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN4G8NBJR-UHCR מאת SK hynix ו H5AN4G8NBJR-VKI מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ פעיל
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-VKI
מותג SK hynix SK hynix
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
ארגון 512M x 8 512M x 8
Speed Grade UH (DDR4-2400 class, PC2400) V (2666)
מתח אספקה 1.2 V (VDD) 1.2 V
ממשק DDR4 SSTL12 —
Internal Prefetch 8n —
מארז 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) FBGA-78
סוג הרכבה Surface Mount (BGA solder-down) Surface Mount
Operating Case Temperature -40C to +85C (industrial range) —
Extended Temperature Range Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) —
Lead Free Yes —
נטול הלוגנים Yes —
סטטוס RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Packaging Suffix -R = Tape and Reel —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] [DATA_NEEDED: Refresh specification]
השהיית CAS [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
קצב נתונים — 2666 Mbps
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Temperature Grade — Industrial (I suffix)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT)
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)
טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר