H5ANAG4NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-UHC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5ANAG4NBJR-UHC מאת SK hynix ו H5AN4G6NBJR-UHC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5ANAG4NBJR-UHC | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| ארגון | 256M x16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock / Data Rate | 1.6 GHz | — |
| מארז | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 (PBGA-96) |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +95C | -40C to +95C |
| ממשק | CMOS, DDR4 (double data rate) | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes (RESET_n) |
| On-Die Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes (command/address CRC) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] | — |
| גודל זיכרון | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Technology | — | CMOS |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes (DM) |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |