H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63MFR-PBA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5TC4G63AFR-G7A מאת SK hynix ו H5TC4G63MFR-PBA מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5TC4G63AFR-G7A | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| מתח אספקה | 1.35V | — |
| קצב נתונים | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 95°C (case) | — |
| השהיית CAS | Programmable (e.g., 11) | — |
| Burst Length | 8 and 4 | BL8, BL4 (with burst chop) |
| Refresh Period | 7.8us at 85°C | — |
| On-Die Termination | Supported | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Process Technology | CMOS | 30nm-class |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |