H5TC4G63CFR-XXJ vs K4B4G1646E-BYMA השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של H5TC4G63CFR-xxJ מאת SK hynix ו K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxJ H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר H5TC4G63CFR-xxJ K4B4G1646E-BYMA
מותג SK hynix Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $14.32
סוג זיכרון DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
ארגון 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Clock Input Fully differential (CK, CK#) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS#) —
On-Chip DLL Yes —
DM Mask Yes —
מארז 96-ball FBGA FBGA-96
טווח טמפרטורת פעולה 0°C to 95°C (case) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes —
Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix] —
השהיית CAS [DATA_NEEDED: CAS latency options] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
מתח אספקה — 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Clock Frequency — 933 MHz
קצב נתונים — 1866 Mbps/pin
טמפרטורת פעולה — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
סוג הרכבה — Surface Mount
מספר פינים — 96

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר