H5TC4G63CFR-XXJ vs K4B4G1646E-BYMA So sánh

So sánh chi tiết song song của H5TC4G63CFR-xxJ bằng SK hynix và K4B4G1646E-BYMA bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxJ H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxJ ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5TC4G63CFR-xxJ K4B4G1646E-BYMA
Thương hiệu SK hynix Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $14,32
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Clock Input Fully differential (CK, CK#) —
Data Strobe Differential (DQS, DQS#) —
On-Chip DLL Yes —
DM Mask Yes —
Hộp 96-ball FBGA FBGA-96
Khoảng nhiệt độ hoạt động 0°C to 95°C (case) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Đông trùng haogen Yes —
Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix] —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS latency options] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Điện áp cung cấp — 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Clock Frequency — 933 MHz
Tốc độ dữ liệu — 1866 Mbps/pin
Nhiệt độ hoạt động — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Số lượng chân — 96

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá