IAUA180N04S5N012AUMA1 vs IAUCN04S7N027GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUA180N04S5N012AUMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7N027GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUA180N04S5N012AUMA1 | IAUCN04S7N027GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUA180N04S5N012AUMA1 | — |
| Series | OptiMOS-5 40 V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 180 A (Tc) | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 125 W (Tc) | — |
| R_DS(on) (max) | 1.2 mΩ at 10 V VGS | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| מארז | PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C (Tj) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Technology | OptiMOS-5 Trench | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 117 A |
| On-Resistance (Rds(on) max) | — | 2.67 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 70 W (Tc) |
| מארז / Case | — | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) |
| Qualification | — | Automotive |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy FR-4 |