IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUCN08S7N034ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S7L006ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN08S7N034ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN04S7L006ATMA1 | IAUCN08S7N034ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | — |
| R_DS(on) Max | 0.6 mΩ at V_GS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז | PG-TDSON-8-43 | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS-7 trench | — |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| מספר פינים | 8 | — |
| Packaging | Tape and Reel (ATMA1) | — |
| Polarity | Single N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS™ 7 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 120 A |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | — | 3.4 mΩ |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | — | 3.2 V (typ) |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) | — | 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | — | 1.27 nF |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | — | 3.115 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | — | 23 pF |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 118 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55°C to +175°C |
| רמת MSL | — | MSL 1 (unlimited floor life) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |