IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUCN08S7N034ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7L006ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN08S7N034ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN08S7N034ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-34 (TDSON EP)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
پن کی تعداد 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) —
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS™ 7
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V — 3.4 mΩ
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) — 3.2 V (typ)
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) — 1.27 nF
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) — 3.115 nF
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) — 23 pF
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 118 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55°C to +175°C
MSL لیول — MSL 1 (unlimited floor life)
Automotive Qualification — AEC-Q101

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں