IPB45N06S4L08ATMA3 vs IPB110P06LMATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB45N06S4L08ATMA3 מאת Infineon ו IPB110P06LMATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB45N06S4L08ATMA3 IPB110P06LMATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -60 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 45 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.9 mOhm —
Power Dissipation (TC=25C) 71 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.2 V to 2.4 V (typ 1.7 V) —
מארז PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
MSL Moisture Sensitivity MSL1 (260C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
RoHS Compliance Yes (Green Product) —
Lead-Free Yes Yes
נטול הלוגנים Yes —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: reverse recovery charge] —
Thermal Resistance RthJC max [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case] —
FET Type — P-Channel
Technology — OptiMOS (trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C (TJ)
מארז / Case — PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר