IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB037N06N3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB60R040CFD7ATMA1 מאת Infineon ו IPB037N06N3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPB60R040CFD7ATMA1 IPB037N06N3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי In Stock —
מחיר ליחידה (USD) $5.19 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
פיזור הספק (TC=25°C) 227 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C -55 C to +175 C (junction)
מארז PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
רמת MSL 1 1 (unlimited)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Part Number — IPB037N06N3GATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max — 3.7 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Power Dissipation (Pd) at Tc — 188 W
מארז / Case — PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: gate charge value]
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to drain

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר