IPD034N06N3GATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD034N06N3GATMA1 מאת Infineon ו IAUC100N04S6L025ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD034N06N3GATMA1 | IAUC100N04S6L025ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) | OptiMOS 6 40V trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 167 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 4 V at 93 uA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | — |
| מארז | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Configuration | 3-Pin (2 + Tab) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (Pb-free green finish) | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product page) | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.5 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 62 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free | — | Yes |