IPD70N10S3L12ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD70N10S3L12ATMA1 מאת Infineon ו IPD082N10N3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPD70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPD70N10S3L12ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPD70N10S3L12ATMA1 IPD082N10N3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot, Tc) 125 W —
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 11.5 mΩ —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C (junction) —
מארז PG-TO252-3-11 (DPAK) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Drain, Gate, Source + tab) 3 (Gate, Drain, Source)
רמת MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Rating 100 % avalanche tested —
סטטוס RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Energy (Single Pulse) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Part Number — IPD082N10N3GATMA1
Technology — OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55°C to +175°C
מארז / Case — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר