IPL60R125P7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPL60R125P7AUMA1 מאת Infineon ו IPL60R105P7AUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPL60R125P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 27 A —
On-State Resistance RDS(on) max 125 mOhm —
Gate Charge (Qg, typ) 36 nC —
Total Gate Charge Qg (typ) 36 nC —
Output Capacitance Coss (typ) [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr] —
Rise Time / Fall Time (tr/tf) [DATA_NEEDED: tr/tf] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage VGS(th), typ 3.5 V —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +150 C —
מארז ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת רגישות ללחות (MSL) MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Pin Configuration Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2 —
Series — CoolMOS P7
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +150C
Channel Type — N-Channel
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
נטול הלוגנים — Yes
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר