IPP320N20N3GXKSA1 vs IPP147N12N3GXKSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPP320N20N3GXKSA1 מאת Infineon ו IPP147N12N3GXKSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPP320N20N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 34 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 32 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Power Dissipation PD at TC=25°C 136 W —
מארז TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole PG-TO220-3 (through-hole)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
מספר פינים 3 (3 + Tab) 3 (3+Tab)
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Channel Type N-Channel —
Element Configuration Single —
סטטוס RoHS Compliant Compliant (per distributor listing suffixes XKSA1)
Lead-Free Yes Yes
רמת MSL Not applicable (through-hole) —
Series — OptiMOS
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 56 A
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 56 A (Ta, per DigiKey listing)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 107 W
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg value]
Rds(on) max — [DATA_NEEDED: Rds(on) max in mOhm at Vgs=10V]
Vgs(th) (Gate Threshold) — [DATA_NEEDED: typical gate threshold voltage]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: typical Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: typical Coss]
Reverse Recovery (trr) — [DATA_NEEDED: body-diode reverse recovery time]
Avalanche Energy Rating — Single-pulse avalanche rated
Qualification — Automotive grade (per datasheet.live listing 'Automotive')
Packing Method — Tube

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר