IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE050N08NM5CGATMA1 מאת Infineon ו IQDH88N06LM5CGSCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IQE050N08NM5CGATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 101 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 5.0 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| מארז | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Source-Down) | OptiMOS 5 (trench) |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C (TJ max) | — |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| זרם ניקוז רציף (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| פיזור הספק (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| מספר פינים | — | 9 (with exposed pad) |
| Cooling | — | Dual-side cooling capable |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |