IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE050N08NM5CGSCATMA1 מאת Infineon ו ISC015N06NM5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 - 80V 99A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | IQE050N08NM5CGSCATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 99 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.0 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.8 V | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Total Power Dissipation at TC (PD) | 100 W | — |
| Total Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (junction, typical) | -55 C to +175 C |
| מארז | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free, RoHS compliant | — |
| רמת MSL | 1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |