IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQEH54NE2LM7UCGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 מאת Infineon ו IQEH54NE2LM7UCGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 | IQEH54NE2LM7UCGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 7 (trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 440 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 57 A | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 150 W | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | 0.46 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| מארז | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) | PG-TTFN-9-3 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity / Channel Type | Single N-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Topology Suitability | Hard- and soft-switching | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 52 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 406 A |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 150 W |
| On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C (typical MOSFET range) |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |