IR2109STRPBF vs IR2101STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2109STRPBF מאת Infineon ו IR2101STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2109STRPBF IR2101STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
מספר יציאות 2 (High-Side / Low-Side) —
High-Side Offset Voltage (Max) 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Peak Source Output Current 0.2 A (typ) —
Peak Sink Output Current 0.35 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 750 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
ton / toff (typ) 540 ns —
Input Logic Non-Inverting —
UVLO Yes (VCC and VBS) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Dead Time Control Built-in —
dV/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
מארז 8-SOIC (3.90 mm Width) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40 C to +125 C
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Number of Drivers — 2
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
רמת MSL — MSL 3

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר