IRF520NPBF vs IRFZ44NPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF520NPBF מאת Infineon ו IRFZ44NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF520NPBF | IRFZ44NPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | HEXFET | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | 9.7 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 200 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 16.7 nC | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | 48 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (3-pin + tab) |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through Hole |
| רמת MSL | 1 (unlimited) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Technology | HEXFET (vertical DMOS) | HEXFET (Advanced Process) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 49 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 17.5 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 42 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 94 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.0 C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | — | 62 C/W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +175C |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS rating] |