IRF7105TRPBF vs IRF7341GTRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7105TRPBF מאת Infineon ו IRF7341GTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF7105TRPBF | IRF7341GTRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Series | IRF7105 (HEXFET Fifth Generation) | — |
| Polarity / Configuration | N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vds) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) | 3.5 A | — |
| Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) | 2.3 A | — |
| Rds(on) Maximum | 100 mOhm | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) | IR HEXFET Planar MOSFET |
| מארז | 8-SO (SOIC-8) | 8-SO (SOIC-8) |
| Total Package Power Dissipation (Pd) | 2 W | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: junction temperature range] | -55 C to +175 C |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] | — |
| Packaging Form | Tape & Reel (TR) | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant | — |
| מספר פינים | 8 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 5.1 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 50 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) | — | 2.4 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Configuration | — | Dual N-Channel |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typical] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |