IRFR3710ZTRPBF vs IRLU024NPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR3710ZTRPBF מאת Infineon ו IRLU024NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFR3710ZTRPBF | IRLU024NPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | N-Channel, Logic-Level |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 18 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 140 W | 45 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +175C | -55C to +175C |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET Power MOSFET (5th generation) |
| מארז | TO-252AA (DPAK) | IPAK (TO-251AA), Through Hole |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through Hole |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRLU024NPBF |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 65 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 10 nC (typical, per listing) |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | 3.3 C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | — | 110 C/W (50 C/W PCB-mounted) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates lead-free plating) |
| Qualification | — | JEDEC standard |
| Gate Drive Voltage (optimized) | — | 10 V (capable of 4.5 V) |