IRFR5505TRLPBF vs IRFR9024NTRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR5505TRLPBF מאת Infineon ו IRFR9024NTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR5505TRLPBF IRFR9024NTRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity P-Channel P-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement Enhancement
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
VGS (Gate-Source Voltage) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) -18 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max 110 mOhm (VGS = -10 V) —
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC —
Power Dissipation (PD) 57 W (Tc = 25 °C) —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC] —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) HEXFET (Generation 5)
מארז TO-252AA (DPAK), surface mount —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) Yes (LPBF suffix)
רמת MSL 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -11 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 175 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 38 W
Gate Charge (Qg) typical — 12.7 nC
Package Type — TO-252AA (DPAK)
מספר פינים — 3 (Drain, Gate, Source + Tab)
Reel Orientation — Left (TRL suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר