IRFS3107TRL7PP vs IRFS3306TRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFS3107TRL7PP מאת Infineon ו IRFS3306TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFS3107TRL7PP IRFS3306TRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 75 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet) —
זרם ניקוז פועם [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser) 4.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] 2.0 V to 4.0 V (typical range)
Gate Charge (Qg) Typical 160 nC —
Maximum Power Dissition @ Tc=25C 370 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C (junction)
מארז D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab) D2PAK (TO-263), surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Total Gate Charge (Qg) — 85 nC
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 230 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet)
Tape & Reel Packaging — 13-inch reel, 800 pcs/reel typical
Body Diode dV/dt Capability — Enhanced (per Infineon datasheet feature)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר