IRLB8721 vs IRLB8748PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLB8721 מאת Infineon ו IRLB8748PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRLB8721 IRLB8721 - 30V 62A 8.7mOhm MOSFET | Infineon

IRLB8721 - 30V 62A 8.7mOhm MOSFET | Infineon

IRLB8721 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRLB8721 IRLB8748PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Drain-Source Voltage 30 V maximum —
Continuous Drain Current 62 A at Tc —
Drain-Source On-State Resistance 8.7 mOhm maximum —
Power Dissipation 65 W at Tc —
מתח שער-מקור +/-20 V maximum —
מטען שער כולל 7.6 nC —
Channel Type N-channel N-Channel
Technology StrongIRFET —
Gate Drive Optimization 5 V logic-level optimized —
מארז TO-220AB through-hole package —
סוג הרכבה Through-hole Through Hole
Device Classification Power MOSFET —
Qualification JEDEC product qualification according to the supplied cross-reference data —
Related Ordering Code IRLB8721PBF —
Manufacturer Infineon Technologies —
Manufacturer Product Page Infineon IRLB8721 —
Maximum Drain Current Condition Tc —
Power Dissipation Condition Tc —
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 92 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC typical
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 75 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +175C (junction)
Package Type — TO-220AB through-hole
Technology Family — StrongIRFET / HEXFET
Logic-Level Gate Drive — Yes (optimized for 5V VGS)
סטטוס RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Qualification Standard — JEDEC (Industrial market per datasheet)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר