IRS2101STRPBF vs IRS2011STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2101STRPBF מאת Infineon ו IRS2011STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2101STRPBF IRS2011STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Number of Drivers 2 —
מספר יציאות 2-OUT 2
תצורת מוצא Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V 3.3 V CMOS / LSTTL
VS Transient Range -5 V to +600 V (logic operational) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Propagation Delay Matching Matched both channels —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40 C to +125 C
מארז 8-SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
סטטוס RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix)
פונקציה — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — High-Side and Low-Side, Independent Channels
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Negative Transient Tolerance — Yes, dV/dt immune
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר