ISC015N04NM5ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISC015N04NM5ATMA1 מאת Infineon ו ISC011N03L5SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | ISC015N04NM5ATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 40V Normal Level | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | — |
| R_DS(on) max | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 206 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 115 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) | — |
| מארז / Case | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 8 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 (per Infineon SuperSO8 family) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drive Level | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| מארז | — | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| טמפרטורת פעולה | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |