ITS716GFUMA1 vs ITS4200SSJDXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של ITS716GFUMA1 מאת Infineon ו ITS4200SSJDXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר ITS716GFUMA1 ITS4200SSJDXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Number of Channels 4 —
תצורת מוצא High-side (N-Channel MOSFET) Single high-side switch
Continuous Current per Channel 2.3 A —
On-State Resistance (RON) per Channel [DATA_NEEDED: Ron typical value] —
Operating Voltage Range (Vbb) 5 V to 36 V —
Load Dump Tolerance Up to 45 V —
Standby Current [DATA_NEEDED: Iq standby typical] —
Input Logic Levels CMOS/TTL compatible, parallel interface —
Diagnostic Output Open-drain fault flag, one per channel Status pin for fault feedback
Protection Features Overload, short-circuit, over-temperature, over-voltage, ESD Overload, current limit, short circuit, thermal shutdown with restart, overvoltage (load dump), undervoltage shutdown
PWM Capability Up to 1 kHz —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +85 C (industrial grade) —
מארז PG-DSO-20-32 (20-pin SOIC, exposed pad) PG-DSO-8 (DSO-8)
התנגדות תרמית, צומת לסביבה [DATA_NEEDED: theta_JA value] —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — PROFET (MINI-PROFET)
Switch Type — High-Side N-Channel, 1:1
On-State Resistance (R_DS(on)) — 200 mOhm (typical)
Continuous Load Current — 1.2 A
Supply Voltage (Vbb) — 6 V to 52 V
זרם מנוחה — 0.8 mA
Maximum Power Dissipation — 1400 mW
טמפרטורת פעולה — -40 C to +150 C
Load Type — Resistive and inductive loads

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר