K3KL5L50DM-BGCU vs K3KL3L30CM-BGCU השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K3KL5L50DM-BGCU מאת Samsung Electronics ו K3KL3L30CM-BGCU מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K3KL5L50DM-BGCU | K3KL3L30CM-BGCU |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM (Volatile DRAM) |
| Density | 128 Gb (16 GB) | — |
| קצב נתונים | 8533 Mbps per pin | 8533 Mbps |
| ארגון | [DATA_NEEDED: organization (x)] | — |
| Supply Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD voltage] | — |
| מארז | [DATA_NEEDED: package ball count / FBGA code] | FBGA-496 (BGCU) |
| סוג הרכבה | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ממשק | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) | LPDDR5X (standard LPDDR ball interface) |
| Prefetch | 16n (LPDDR5/5X architecture) | — |
| Power Efficiency | approx. 20% better than LPDDR5 (per Samsung LPDDR5X family page) | Approx. 25% better than previous LPDDR5 generation (per Samsung) |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh scheme] | — |
| סטטוס RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Production Status | In production (in stock at distributors) | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| גודל זיכרון | — | 64 Gb (8 GB) |
| Memory Organization | — | x64 |
| Technology | — | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5X-class low-power DRAM) |
| Die Configuration | — | Stacked multi-die DRAM |
| Application Segment | — | AI devices and automotive |
| Speed Improvement | — | Up to 1.25x faster than previous generation (per Samsung) |
| Supply Voltage Class | — | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] |
| Place of Origin (per distributor listing) | — | Johor, Malaysia |