K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WC-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WB-BCTD מאת Samsung Electronics ו K4A8G165WC-BCRC מאת Samsung Electro-Mechanics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ פעילSamsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| קטגוריה | DRAM | EEPROM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | — | In Stock |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $19.69 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| קצב נתונים | 2666 Mbps | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | 0 C to +95 C |
| מארז | 96FBGA | 96-FBGA (TFBGA) |
| Die Generation | B-die | C-die |
| סוג הרכבה | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| ממשק | DDR4 (parallel, double data rate) | Parallel, 16-bit DDR |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | Compliant |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| גודל זיכרון | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz |
| מתח אספקה | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| תכונות | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Memory Format | — | DRAM |