K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WB-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WB-BCWE מאת Samsung Electronics ו K4A8G165WB-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ פעילSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WB-BCWE | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $6.25 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| קצב נתונים | 3200 Mbps/pin | 2666 Mbps |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| ממשק | Parallel | DDR4 (parallel, double data rate) |
| מארז | 96FBGA | 96FBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | 0C to +85C |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| ארגון | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | B-die |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |