MRF6S23140HR3 vs MRF6S27085HR5 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MRF6S23140HR3 מאת NXP Semiconductors ו MRF6S27085HR5 מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
NXP Semiconductors
MRF6S23140HR3 - 28W, 2.3GHz RF Power LDMOS | NXP Semiconductors
MRF6S23140HR3 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MRF6S23140HR3 | MRF6S27085HR5 |
|---|---|---|
| מותג | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode | LDMOS, N-Channel RF Power |
| Technology | Lateral N-Channel RF Power MOSFET | HV6 LDMOS |
| Drain-Source Voltage (Rated) | 68 V | — |
| Operating Drain Voltage (Typical) | 28 V | — |
| Test Quiescent Drain Current | 1.3 A | — |
| Operating Frequency Range | 2300 MHz to 2400 MHz | 2500 MHz to 2700 MHz |
| Test Frequency | 2.39 GHz | 2660 MHz |
| Output Power (Average, 2 x W-CDMA) | 28 W | — |
| Power Gain | 15.2 dB | — |
| Drain Efficiency | [DATA_NEEDED: drain efficiency %] | — |
| מארז / Case | NI-880H-2L (CASE 465B-03, STYLE 1) | NI-780H-2L (ceramic acorn) |
| סוג הרכבה | Chassis / Flange Mount | Chassis / Flange Mount |
| Configuration | Single, push-pull capable | — |
| Input Matching | Internally matched (per datasheet) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per distributor listing) |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| Rated Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 68 V |
| Test Supply Voltage (Vdd) | — | 28 V |
| Test Quiescent Current (Idq) | — | 900 mA |
| Output Power (Pout) | — | 20 W (CW) |
| Small-Signal Gain | — | 15.5 dB at 2.66 GHz |
| מספר פינים | — | 2-lead + flange |
| Lead Free Status | — | Lead-free (per distributor listing) |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 C |
| Time at Peak Reflow | — | 40 s maximum |
| Application | — | W-CDMA / multi-carrier base-station PA |