MT41K256M16RE-125:D vs H5TC4G63AFR-PBJ השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT41K256M16RE-125:D מאת Micron Technology ו H5TC4G63AFR-PBJ מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | MT41K256M16RE-125:D | H5TC4G63AFR-PBJ |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | — |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35 V |
| קצב נתונים | 1600 MT/s | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] |
| השהיית CAS | 11 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| מארז | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball TFBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| גודל זיכרון | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Access Time | — | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |