MT41K256M16RE-125:D vs K4B4G1646E-BYMATCV השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT41K256M16RE-125:D מאת Micron Technology ו K4B4G1646E-BYMATCV מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MT41K256M16RE-125:D | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | — |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35 V |
| קצב נתונים | 1600 MT/s | 1866 Mbps |
| השהיית CAS | 11 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| מארז | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| גודל זיכרון | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| מספר פינים | — | 96 |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |