MT58L64L32FT-10 vs MT58L64L32PT7.5 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT58L64L32FT-10 מאת Micron Technology ו MT58L64L32PT7.5 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT58L64L32FT-10 - 2Mb Sync Burst SRAM 10ns 66MHz | Micron
MT58L64L32FT-10 ✗ סוף ייצורMicron Technology
MT58L64L32PT7.5 - 2Mbit Sync Burst SRAM 133MHz | Micron
MT58L64L32PT7.5 ✗ סוף ייצורהשוואת מפרטים
| פרמטר | MT58L64L32FT-10 | MT58L64L32PT7.5 |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | סוף חיים | סוף חיים |
| סוג זיכרון | SRAM - Synchronous Burst (Flow-Through SyncBurst) | SRAM - Synchronous (SYNCBURST Pipelined) |
| גודל זיכרון | 2 Mbit | 2 Mbit |
| ארגון | 64K x 32/36 (also 128K x 18) | 64K x 32 |
| Access Time | 10 ns | 4 ns |
| תדר שעון מקסימלי | 66 MHz | — |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage VDD | 3.3 V (+0.3 V/-0.165 V) | — |
| Output Buffer Supply VDDQ | 2.5 V isolated or 3.3 V | — |
| Write Control | Individual BYTE WRITE enables | — |
| Standby Feature | SNOOZE MODE reduced-power standby | — |
| Data I/O | Common data inputs and data outputs | — |
| Burst Modes | Linear and interleaved burst address sequences | — |
| מארז | 100-TQFP (14 x 20.1 mm) | 100-TQFP (14 x 20.1 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +70C (commercial; -10IT variant industrial) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Clock Frequency | — | 133 MHz |
| Supply Voltage Range | — | 3.135 V to 3.6 V |
| Lead Pitch | — | 0.5 mm |
| Memory Format | — | Volatile |
| I/O Type | — | LVTTL-compatible 3.3V |
| Manufacturer | — | Micron Technology (also listed under Samsung Semiconductor, Inc. marketplace listing) |